Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation perkenalkan dioda Schottky barrier SiC 650V generasi kedua dalam paket bertipe surface-mount DPAK

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation perkenalkan dioda Schottky barrier SiC 650V generasi kedua dalam paket bertipe surface-mount DPAK

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation: Dioda Schottky Barrier SiC 650V Generasi Kedua dalam paket bertipe surface-mount DPAK. (Antara/BUSINESS WIRE)

Perangkat generasi kedua meningkatkan arus maju maksimal dan figure of merit,di dalam paket bertipe surface-mount

 

TOKYO--(Antara/BUSINESS WIRE)-- Toshiba ElectronicDevices & Storage Corporation (TDSC) memperluas portofolio diodanyadengan penambahan enam Schottky barrierdiodes (SBDs) yang dirancang menggunakan silicon carbide (SiC) dan dipasang di dalam kemasan surface-mount. Produk ini akan mulaidikirimkan hari ini.

 

Lihat rilis pers multimedia selengkapnya di sini: http://www.businesswire.com/news/home/20171016006343/en/

 

Hingga saat ini, TDSC telah berfokus pada SiC SBCdalam kemasan through-hole. PenambahanSiC SBD pertama yang dipasang di dalam kemasan surface-mount (alias DPAK) memenuhi kebutuhan pengguna akan SiC SBDyang lebih ringkas dan tipis.

 

SiC SBD mengintegrasikan chip Toshiba generasi kedua, yang memberikan arus maju maksimal(IFSM) dan figure of merit (VFQc*1).Perangkat ini memiliki daya tahan lebih tinggi dan loss lebih rendah, yang membantu meningkatkan efisiensi sistem danmenyederhanakan desain termal.

 

TDSC akan terus memperluas lini produk untuk terusmembantu meningkatkan efisiensi dan memangkas ukuran peralatan komunikasi, server, inverter, dan produk-produk lainnya.

 

Fitur-fitur:

* Arus maju maksimal: Sekitar 7 hingga 9,5 kalinilai arus, IF(DC).

* Figure ofmerit (VFQc) yang rendah: Sekitar 1/3 lebih rendah dibandingkan produk-produkgenerasi pertama, mengindikasikan efisiensi tinggi

* Kemasan surface-mount:Memungkinkan auto mounter danmembantu memangkas ukuran sistem dan ketebalan

 

Penggunaan

SiC SBD terbaru ini cocok untuk berbagai macamkebutuhan komersial dan industri, seperti sirkuit PFC pada catu dayaberefisiensi tinggi

 

* Produk konsumen dan OA: catu daya untuk layarbesar TV 4K LCD & OLED, proyektor, mesin fotocopy multifungsi, dll

* Peralatan industri: catu daya untuk menaratelekomunikasi, server PC,mikroinverter surya, dll

* Untuk sirkuit: Sirkuit power factor correction (PFC); sirkuit inverter mikro; sirkuit chopper (berbagai catu daya berkapasitasratusan watt atau lebih)

* Dioda bebas roda untuk mengendalikan perangkat

 

Spesifikasi Utama

Paket

 

 

 

Rating Maksimal Absolut

 

Karakteristik Kelistrikan



Forward
DC current

 

Peak Forward
Surge Current
non-repetitif

 

Disipasi Daya Total

 

Suhu junction


Voltase Forward

 

Figure
of merit

 

Kapasitansi junction

 

Muatan Kapasitif Total


Simbol


IF(DC)


IFSM


Ptot


Tj


VF


VFQc


Cj


QC


Unit


(A)


(A)


(W)


()


(V)


(VnC)


(pF)


(nC)


Nilai


Max.


Max.


Max.


Max.



Typ.


Typ.


Typ.


Produk/ Kondisi



@ Half-sine
Wave

t=10ms


Tc=25



@ IF(DC)



@ VR=

1V


@VR=

400V

Tipe surface-mount

DPAK /

Setara dengan

TO-252


TRS2P65F


2


19


34,0


175


1,45

(Typ.)


1,60

(Max.)


8,4


85


5,8


TRS3P65F


3


26


37,5




11,7


120


8,1


TRS4P65F


4


33


41,0




15,1


165


10,4


TRS6P65F


6


45


48,3




21,9


230


15,1


TRS8P65F


8


58


55,5




28,6


300


19,7

 

TRS10P65F

 

10

 

70

 

62,5

 

 

 

35,4

 

400

 

24,4

 

Catatan:

[1] Qc : Jumlah muatan listrik kapasitansi Cj antara0,1 V and 400 V.

 

Ikuti tautan di bawah ini untuk informasiselengkapnya tentang jajaran Dioda Schottky Barrier SiC TDSC.

https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/diode/sic.html

 

Layanan pelanggan:

Mixed Signal IC Sales and Marketing Department

Tel: +81-44-548-2821

https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/contact.html

 

*Segala informasi yang terkandung di dalam dokumenini, termasuk harga dan spesifikasi produk, isi layanan, dan informasi kontak,berlaku pada tanggal siaran pers ini diumumkan tapi tunduk kepada berbagaiperubahan tanpa adanya pemberitahuan terlebih dahulu.

 

TentangToshiba Electronic Devices & Storage Corporation

 

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation(TDSC) menggabungkan semangat perusahaan baru dengan kebijakan pengalaman.Sejak memisahkan diri dari Toshiba Corporation pada Juli 2017, kami telah mapandi antara perusahaan perangkat umum terkemuka, serta memberi pelanggan danmitra bisnis kami solusi luar biasa dalam semikonduktor yang berbeda, LSIsistem dan HDD.

 

Ke-19.000 karyawan kami di seluruh dunia bertekadmemaksimalkan nilai produk kami, dan menekankan kerjasama erat dengan pelangganuntuk mempromosikan penciptaan bersama nilai dan pasar baru. Kami inginmengandalkan penjualan tahunan yang kini melampaui 700 miliar yen (US$6 miliar)dan ikut menciptakan masa depan yang lebih baik bagi orang di manapun.

Untuk informasi selengkapnya tentang kami, klik https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/company.html

 

Lihat versi aslinya di businesswire.com: http://www.businesswire.com/news/home/20171016006343/en/

 

Kontak

 

InkuiriMedia:

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Chiaki Nagasawa, +81-3-3457-4963

Digital Marketing Department

semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

 

 

Sumber: Toshiba Electronic Devices & StorageCorporation

 

Pengumumanini dianggap sah dan berwenang hanya dalam versi bahasa aslinya.Terjemahan-terjemahan disediakan hanya sebagai alat bantu, dan harus denganpenunjukan ke bahasa asli teksnya, yang adalah satu-satunya versi yangdimaksudkan untuk mempunyai kekuatan hukum.

Editor: PR Wire
COPYRIGHT © ANTARA 2017