Toshiba Memory Corporation luncurkan client SSD berkemasan tunggal NVMeTM yang menggunakan flash memory 3D berlapis 64

TOKYO (Antara/BUSINESS WIRE) -- ToshibaMemory Corporation, pemimpin di industri memory dunia, hari ini meluncurkanBG3, lini produk client SSDberkemasan tunggal NVM ExpressTM (NVMeTM) yang mengintegrasikan BiCS FLASHTMToshiba mutakhir yang berlapis 64 dan 3-bit-per-cell(TLC) dan pengendali di dalam kemasan ballgrid array (BGA). Sampel produk akan dikirimkan ke para konsumen OEM PChari ini dalam jumlah terbatas, dan Toshiba Memory Corporation akanmeningkatkan volume pengiriman secara bertahap mulai dari kuartal empat tahunini.

Untuk melihat siaran pers multimedia, silakan klik:  http://www.businesswire.com/news/home/20170802006627/en/

BG3 seri SSD ini dilengkapi dengan arsitektur PCI EXPRESS(PCIe) Gen3 x 2lanes and NVMeTM Revision 1.2.1. Selain itu, alat ini jugadilengkapi dengan Host Memory Buffer(HMB)[1], yang menggunakan host memory sebagai pengganti DRAM, sehinggamenghemat daya dan ruang, dan membantu pengembang dalam memproduksi perangkatyang harus seimbang antara performa yang tinggi dan juga konsumsi daya yangrendah. Selaian itu, manfaat gabungan dari fitur SLC cache, manajemen flash yanglebih baik, dan performa flash memorymeningkatkan performa read sekuensialhingga 1520MB/detik dan writesekuensial hingga 840MB/detik[2]/

BG3 series akan tersedia dalam tiga kapasitas; 128GB, 256GB,dan 512GB[3]. Tiap kapasitas sesuai dengan formfactor SSD kelas terkecil di industri[4], kemasan tunggal M.2 1620[5] surface-mount 16mmx20mmx1.5mm, dan modulM.2 2230 yang dapat dilepas[6]. BG3 series memiliki dimensi yang lebih ringkasdibandingkan seri-seri terdahulu, dengan model kemasan 128GB, 256GB, dan 512GB yang sesuai dengan 1.5mm dari M.21620-S3. Hal ini akan membantu meningkatkan pengembangan desain-desain baruuntuk perangkat seluler dan tertanam, seperti PC mobile dan tablet. Selain itu,mengingat ukuran yang ringkas dan konsumsi daya yang rendah, BG3 SSD juga dapatdiaplikasikan dengan penyimpanan server-bootyang hemat daya dan ruang pada datacenter.

Untuk segi keamanan, perangkat ini dilengkapi dengan self-encrypting drive (SED) yangkompatibel dengan TCG Opal Version 2.01[7].

BG3 series akan dipamerkan di ajang Flash Memory Summit 2017di Santa Clara, California, AS, pada tanggal 8-10 Agustus 2017 di stand #407.

*PCI EXPRESS dan PCIe adalah merek dagang terdaftar dariPCI-SIG

*NVMe dan NVM Express adalah merek dagang NVM Express, Inc.

*Semua nama perusahaan, produk, dan layanan yang disebut didalam siaran pers ini adalah merek dagang masing-masing perusahaan

Catatan

[1] Fungsi menggunakan host DRAM untuk tujuan manajemen flash

[2] Survey Toshiba Memory Corporation didasarkan pada kemampuanmembaca dan menulis sekuensial berkecepatan 128KiB unit, yang menggunakan model512GB pada BG3 series dibawah kondisi ujicoba Toshiba Memory Corporation.Kecepatan baca dan tulis dapat beragam, tergantung dari perangkat inang,kondisi baca dan tulis, dan ukuran file. Toshiba Memory Corporationmendefinisikan megabyte (MB) sebagai 1.000.000 byte dan kibibyte (KiB) sebagai210 byte, atau 1.024 byte. Performa baca dan tulis sekuensial yang disebutkandiatas adalah data acuan, dan dapat beragam dengan data produk BG3 di lembarandata.

[3] Definisi kapasitas: Toshiba mendefinisikan satu megabyte(MB) sebagai 1.000.000.000.000 byte. Meskipun demikian, sistem operasi komputermenunjukan kapasitas penyimpanan yang menggunakan daya dua untuk mendefinisikan1GB = 230 = 1,073,741,824 byte dan oleh karena itu, menunjukan kapasitaspenyimpanan yang lebih kecil. Kapasitas penyimpanan yang tersedia (termasukcontoh dari berbagai berkas media) akan beragam berdasarkan ukuran berkas,format, setelan, perangkat lunak, dan sistem operasi, seperti MicrosoftOperating System dan/atau aplikasi perangkat lunak pra-instalasi, atau kontenmedia. Kapasitas terformat yang aktual dapat berbeda-beda.

[4] Survey Toshiba Memory Corporation, per 3 Agustus 2017

[5] Form factoruntuk model 128GB dan 256Gb adalah M.2 1620-S2, dan form factor untuk model 512GB adalah M.2 1620-S3

[6] Form factoruntuk model 128Gb dan 256GB adalah M.2 2230-S2 dan form factor untuk model 512GB adalah M.2 2230-S3

[7] Ketersediaan lini model SED dapat berbeda-beda dimasing-masing negara/wilayah

Dukungan pelanggan

Storage Products Division

Tel: +81-3-3457-2445

https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/contact.html

Segala informasi yang terkandung di dalam dokumen ini,termasuk harga dan spesifikasi produk, isi layanan, dan informasi kontak,berlaku pada tanggal siaran pers ini diumumkan tapi tunduk kepada berbagaiperubahan tanpa adanya pemberitahuan terlebih dahulu.

Baca versi aslinya di businesswire.com:  http://www.businesswire.com/news/home/20170802006627/en/

Kontak

Media Inquiries:

Toshiba Memory Corporation

Sales Strategic Planning Division

Koji Takahata, +81-3-3457-3822

semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

Sumber: Toshiba Memory Corporation

Pengumuman inidianggap sah dan berwenang hanya dalam versi bahasa aslinya.Terjemahan-terjemahan disediakan hanya sebagai alat bantu, dan harus denganpenunjukan ke bahasa asli teksnya, yang adalah satu-satunya versi yangdimaksudkan untuk mempunyai kekuatan hukum.